DMP3012LPS-13 与 BSC084P03NS3 G 区别
| 型号 | DMP3012LPS-13 | BSC084P03NS3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMP3012LPS-13 | A-BSC084P03NS3 G |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 13.2A PWRDI5060 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.15mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 6.1mΩ |
| 上升时间 | - | 134ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 58 nC |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 6807 pF @ 15 V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 3.1V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 33S |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 139 nC @ 10 V | - |
| 封装/外壳 | PowerDI5060-8 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 13.2A(Ta) | 78.6A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 5.9mm |
| 下降时间 | - | 8ns |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.29W(Ta) | 69W |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 9mΩ@10A,10V | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 33ns |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 系列 | - | OptiMOSP3 |
| 通道数量 | - | 1 Channel |
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 16ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP3012LPS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.29W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55°C~150°C(TJ) 30V 13.2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
BSC084P03NS3E G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 78.6A 8.4mΩ 25V 69W P-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
BSC084P03NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 78.6A 69W 6.1mΩ 30V 3.1V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AON6413 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 P-Channel -30V 25V -32A 48W 8.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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